Транзисторы высокочастотные: справочник приборов ВЧ и СВЧ


Транзисторы высоковольные

Транзисторы высокочастотные и СВЧ отечественного и зарубежного производства

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h21э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Транзисторы малой мощности



Корпус SOT-23

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h21э
BFR92A N-P-N 15 25 0,3 5 2,1 40-90
BFR93A N-P-N 12 35 0,3 6 1,9 40-90
BFR193 N-P-N 12 80 0,58 8 1,3 50-200
BFS17A N-P-N 15 25 0,3 2,8 2,5 25-90
BFT92 P-N-P 15 25 0,3 5 2,5 20-50
BFT93 P-N-P 12 35 0,3 5 2,4 20-50

Корпус TO-50

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h21э
BF970 P-N-P 35 30 0,3 1 4,2 25-90
BF979 P-N-P 20 50 0,3 1,75 3,4 20-90
BFR90A N-P-N 15 30 0,3 6 1,8 50-150
BFR91A N-P-N 12 50 0,3 6 1,6 40-150
BFR96TS N-P-N 15 100 0,7 5 4 25-150





Корпус TO-92

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BF199 N-P-N 25 25 0,5 550 >38
BF240 N-P-N 40 25 0,3 >150 60-220
BF324 P-N-P 30 25 0,3 450 >25
BF450 P-N-P 40 25 0,3 375 >50
BF494 N-P-N 20 30 0,3 >260 >30
BF959 N-P-N 20 100 0,625 >600 >35

Транзисторы в других типах корпусов

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц h21э Корпус
BFG425W N-P-N 4,5 30 0,135 25 50-120 SOT343R
BFP67 N-P-N 10 50 0,2 7,5 65-150 SOT143
BFP450 N-P-N 4,5 100 0,45 24 50-150 SOT343R
BFP540 N-P-N 4,5 80 0,25 33 50-200 SOT343R
BFP620 N-P-N 2,3 80 0,185 65 100-320 SOT343R





Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование Структура Pмакс., Вт Iмакс., А Uмакс., В Iкбо., мкА h21э fгран., МГц Корпус
КТ3102А-Ж N-P-N 0,25 200 20-50 < 0,05 100/250-400/1000 150 КТ-1-7
КТ3102АМ-КМ N-P-N 0,25 200 20-50 < 0,05 100/250-400/1000 150 КТ-26
КТ3107 P-N-P 0,3 100 20-45 < 0,1 70/140-380/800 250 КТ-26
КТ3108 P-N-P 0,3 200 45-60 < 0,2 50/150-100/300 250 КТ-1-7
КТ3117А, Б N-P-N 0,3 400 50 < 10 40/200 300 КТ-1-7
КТ3117А1 N-P-N 0,3 400 50 < 10 40/200 300 КТ-26
КТ3129 P-N-P 0,15 100 20-40 < 1,0 30/120-200/500 200 КТ-46
КТ3130 N-P-N 0,1 100 15-40 < 0,1 100/250-400/1000 150 КТ-46
КТ315 N-P-N 0,15 50-100 25-60 0,5 20/90-50/350 200 КТ-13
КТ3151А9, Д9 N-P-N 0,2 100 80 < 1,0 > 20 100 КТ-46
КТ3153А9 N-P-N 0,3 400 50 < 0,05 100/300 250 КТ-46
КТ3157А P-N-P 0,2 30 250 < 0,1 > 50 60 КТ-26
КТ3172А9 N-P-N 0,2 200 20 < 0,4 40/150 500 КТ-46
КТ339АМ N-P-N 0,26 25 25 < 1,0 > 25 550 КТ-26
КТ342АМ, БМ, ВМ N-P-N 0,25 50 30 < 30 100/250 250 КТ-26
КТ361 P-N-P 0,15 50-100 10-45 < 1 20/90-100/350 150 КТ-13
Читайте также:  Как отличить поддельные электронные компоненты от настоящих, часть №1, Конденсаторы электролитические выводные.

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование Структура Pмакс., Вт Iмакс., А Uмакс., В Iкбо., мкА h21э fгран., МГц Корпус
КТ3101А-2 N-P-N 0,1 20 15 0,5 35/300 2250 Н/С-1
КТ3101АМ N-P-N 0,1 20 15 0,5 35/300 1000 КТ-14
КТ3115А-2(Б, Д) N-P-N 0,07 8,5 7-10 0,5 15/80 5800 КТ-22
КТ3120А N-P-N 0,1 20 15 5 > 40 1800 КТ-14
КТ3126А,Б P-N-P 0,15 30 30 0,5 25/100-60/180 500 КТ-26
КТ3128А1 P-N-P 0,3 30 35 0,1 35/150 800 КТ-26
КТ3168А9 N-P-N 0,18 28 15 < 0,5 60/180 <3000 КТ-46
КТ326А,Б P-N-P 0,2 50 15 0,5 20/70-45/160 250 КТ-1-7
КТ326АМ,БМ P-N-P 0,2 50 15 0,5 20/70-45/160 250 КТ-26
КТ368А,Б N-P-N 0,225 30 15 0,5 50/300 900 КТ-1-12
КТ368АМ,БМ N-P-N 0,225 30 15 0,5 50/450 900 КТ-26
КТ368А9, Б9 N-P-N 0,1 30 15 0,5 50/300 900 КТ-46
КТ399АМ N-P-N 0,15 30 15 0,5 40/170 1800 КТ-26

Транзисторы средней мощности

Зарубежные

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц h21э Корпус
BFG135 N-P-N 15 150 1 7 80-130 SOT223
BFG540W N-P-N 15 120 0,5 9 100-250 SOT343N
BFG97 N-P-N 15 100 1 5,5 25-80 SOT223
BFQ19 N-P-N 15 100 1 5,5 25-80 SOT89
BLT50 N-P-N 10 500 2 0,47 25 SOT223
BLT80 N-P-N 10 250 2 0,9 25 SOT223
BLT81 N-P-N 9,5 500 2 0,9 25 SOT223

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование Структура Pмакс., Вт Iмакс., А Uмакс., В Iкбо., мкА h21э fгран., МГц Корпус
КТ626А-Д P-N-P 9 1,5 20-80 1 15/60-40/250 45 КТ-27-2
КТ646А,Б N-P-N 3,5 1 40-50 10 40/200-150/300 250 КТ-27-2
КТ683А-Е N-P-N 8 1 60-150   40/120-160/480 50 КТ-27-2
КТ6127А-К P-N-P 0,8 2 10-200 < 20 > 30 150 КТ-26
КТ630А-Е N-P-N 0,8 1 60-150 < 1 40/120-160/480 50 КТ-2-7
КТ639А-И P-N-P 1 1,5 30-80 < 0,1 40/100-180/400 80 КТ-27-2
КТ644А-Г P-N-P 1 0,6 40-60 < 0,1 40/120-100/300 200 КТ-27-2
КТ645А N-P-N 0,5 0,3 50 < 10 20/200 200 КТ-26
КТ660А,Б N-P-N 0,5 0,8 30-45 < 1 110/220-200/450 200 КТ-26
КТ664А9 P-N-P 1 1 100 < 10 40/250 50 КТ-47
КТ665А9 N-P-N 1 1 100 < 10 40/250 50 КТ-47
КТ680А N-P-N 0,35 0,6 25 < 10 85/300 120 КТ-26
КТ681А P-N-P 0,35 0,6 25 < 10 85/300 120 КТ-26
КТ698 N-P-N 0,6 2 12-90 < 20 20/118-50/649 100 КТ-26
Читайте также:  Как отличить поддельные электронные компоненты от настоящих, часть №1, Конденсаторы электролитические выводные.

Транзисторы большой мощности

Зарубежные

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц h21э Корпус
BLT53 N-P-N 10 2500 35,5 3,9 25 SOT122D

ВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование Структура Pмакс., Вт Iмакс., А Uмакс., В fгран., МГц Кус., дБ Iкбо., мкА Корпус
КТ9115А P-N-P 1,2 0,1 300 > 90   < 0,05мкА КТ-27-2
КТ9180А-В N-P-N 12,5 3,0 40-80 > 100     КТ-27-2
КТ9181А-В P-N-P 12,5 3,0 40-80 > 100     КТ-27-2
КТ920А N-P-N 5,0 0,5 36 30/200 4 2 КТ-17
КТ920Б N-P-N 10,0 1,0 36 30/200   4 КТ-17
КТ920В N-P-N 25,0 3,0 36 30/200   7,5 КТ-17
КТ920Г N-P-N 25,0 3,0 36 30/200 3,5 7,5 КТ-17
КТ922А N-P-N 8,0 0,8 65 50/175 3 5 КТ-17
КТ922Б N-P-N 20,0 1,5 65 50/175 3 КТ-17
КТ922В N-P-N 40,0 3,0 65 50/175   40 КТ-17
КТ922Г N-P-N 20,0 1,5 65 50/175   20 КТ-17
КТ929А N-P-N 6,0 0,8 30 > 50 8 5 КТ-17
КТ940А-В, A1 N-P-N 10,0 0,1 160-300 > 90   0,5 КТ-27-2, -26
КТ961А-В N-P-N 12,5 1,5 60-100 > 50   10 КТ-27-2
КТ969А N-P-N 6,0 0,1 250 > 60   0,05 КТ-27-2
КТ972А,Б N-P-N 8,0 4,0 45-60 > 200   1 КТ-27-2
КТ973А,Б P-N-P 8,0 4,0 45-60 > 200   1 КТ-27-2

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование Структура Pмакс., Вт Iмакс., А Uмакс., В fгран., МГц Кус., дБ Iкбо., мкА Корпус
КТ913А N-P-N 4,7 0,5 55 900/1500 2 10 КТ-16-2
КТ913Б N-P-N 8 1 55 900/1500 2 50 КТ-16-2
КТ913В N-P-N 12 1 55 900/1500 2 50 КТ-16-2
КТ916А N-P-N 30 2 55 200/1800 2,5 25 КТ-16-2
КТ925А N-P-N 5,5 0,5 36 500/1250 12 7 КТ-17
КТ925Б N-P-N 11 1 36 375/1100 7 12 КТ-17
КТ925В N-P-N 25 3,3 36 300/550 5,3 30 КТ-17
КТ925Г N-P-N 25 3,3 36 300/550 5,3 30 КТ-17
КТ934А N-P-N 7,5 0,5 60 > 100   5 КТ-17
КТ934Б N-P-N 15 1 60 > 100   10 КТ-17
КТ934В N-P-N 30 2 60 > 100   20 КТ-17
КТ939А N-P-N 4 0,4 30 > 100   1 КТ-16-2
КТ939Б N-P-N 4 0,4 30 > 100   2 КТ-16-2
Не нашли что искали? Смотрите еще: