Транзистор IGBT F-Series IEWS20R5135IPB

Транзистор IGBT-1

Транзистор IGBT IEWS20R5135IPB — защищенный транзистор

Транзистор IGBT — компания Infineon Technologies специализирующаяся на производстве микросхем для беспроводной и проводной телефонии, микроконтроллеров, силовых микросхем и дискретных компонентов представляет серию защищенных IGBT. Компоненты изготовлены по технологии TRENCHSTOP Feature и предназначенных для устройств индукционного нагрева. По сравнению со стандартными IGBT с обратной проводимостью семейства RC-H5.

Приборы новой серии содержат специальную микросхему драйвера с логическими возможностями, позволяющую в одном устройстве реализовать различные программируемые защитные функции. Транзисторы серии TRENCHSTOP Feature гарантируют повышенную надежность систем при меньших затратах времени на конструирование и программирование для всех приложений индукционного нагрева с несимметричной топологией.

Быстрорастущий рынок систем индукционного нагрева требует все более высокой эффективности и надежности для защиты репутации бренда от любых негативных событий. Для этого в серии защищенных приборов TRENCHSTOP Feature используются IGBT с лучшими в отрасли характеристиками запирающего напряжения, статических потерь и потерь проводимости. Кроме того, в прибор интегрированы функции защиты от повышенного напряжения, перегрузки по току и перегрева.

Надежность IGBT

Благодаря такому сочетанию функциональности и дополнительных диагностических функций, надежность устройства перестает зависеть от внешних микроконтроллеров. Это означает, что разработчики могут использовать более простые микроконтроллеры, чтобы упростить конструкцию системы и снизить ее стоимость.

В приборах TRENCHSTOP Feature серии Protected объединены 20-амперные IGBT с пробивным напряжением 1350 В, изготовленные по технологии RC-H5, и микросхема драйвера с цепями защиты затвора. IGBT и драйвер опрессовываются в общий 6-выводной пластиковый корпус TO-247 c такими же размерами и одним отверстием для винта, как и стандартные 3- и 4-выводные корпуса TO-247.

Дополнительные выводы обеспечивают поддержку дополнительных функций, таких как уникальное активное управление ограничением, уведомление о неисправностях и специальная двухуровневая форма тока управления затвором. Пороговые уровни включения защиты от превышения напряжения и тока программируются в соответствии с потребностями потребителей.

Доступность

Уже доступны для заказа как единичные образцы, так и промышленные партии защищенных транзисторов IGBT IEWS20R5135IPB.

Применяя защищенные IGBT можно снизить количество внешних компонентов на 30%, при сохранении тех же функций. Также может быть достигнуто уменьшение площади, занимаемой узлом на печатной плате на 25% (рис. 3).

Транзисторы IGBT IEWS20R5135IPB подойдут для силовых приложений с мягким переключением, таких как индукционные нагреватели, рисоварки, микроволновые печи, индукционные плиты, водонагреватели, кофемашины.

Особенности:

  • IGBT с антипараллельным диодом, предназначенный для мягкой коммутации;
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 1350 В;
  • Ток коллектора при 100 °С: 20 А;
  • Интегрированный драйвер затвора;
  • Защита от перенапряжения и перегрузки;
  • Активная схема управления ограничением тока;
  • Программируемый порог превышения напряжения;
  • Программируемый порог пошагового ограничения тока (cycle-by-cycle);
  • Предупреждение о высокой температуре;
  • Защита от пониженного напряжения VCC (UVLO);
  • Защита от электростатического заряда и защелкивания на всех выводах;
  • 6-контактный корпус TO-247

Транзистор IGBT-2
Структурная схема IEWS20R5135IPB

Транзистор IGBT-3
Рисунок 2. Схема включения IEWS20R5135IPB

Транзистор IGBT-4
Рисунок 3. Конструктивные преимущества защищенных IGBT

Источник: rlocman.ru