Samsung объявила о начале выпуска сверхскоростной флэш-памяти eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ

Новая флэш-память eUFS 3.0 от Samsung вдвое быстрее предыдущей

Флэш-память от Samsung на 512 ГБ в два раза быстрее своего предшественника. Основанная на фирменной технологии V-NAND пятого поколения, новая память соответствует новейшим отраслевым спецификациям универсального флэш-накопителя со скоростью в 20 раз превышающей скорость стандартной карты microSD.

Samsung планирует выпустить 1-терабайтную версию в течение второй половины года

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флэш-памяти (eUFS) 3.0 на 512 гигабайт (ГБ) для мобильных устройств следующего поколения. В соответствии с новейшей спецификацией eUFS 3.0, новая память Samsung обеспечивает вдвое большую скорость по сравнению с предыдущим хранилищем eUFS (eUFS 2.1), что позволяет мобильной памяти поддерживать бесперебойную работу пользователей в будущих смартфонах со сверхвысокими экранами высокого разрешения.

«Начало массового производства нашей линейки eUFS 3.0 дает нам огромное преимущество на рынке мобильных устройств следующего поколения, которому мы обеспечиваем скорость чтения памяти, которая раньше была доступна только на ультратонких ноутбуках», — сказал Чол Чой, исполнительный вице-президент продажи и маркетинга памяти в Samsung Electronics. «По мере того, как мы расширяем наши предложения eUFS 3.0, включая версию объемом 1 терабайт (ТБ), в конце этого года, мы ожидаем, что будем играть важную роль в ускорении темпов развития на рынке мобильных телефонов премиум-класса».

Samsung выпустил первый в отрасли интерфейс UFS с eUFS 2.0 в январе 2015 года, который в то время был в 1,4 раза быстрее, чем стандарт мобильной памяти, называемый встроенной мультимедийной картой (eMMC) 5.1. Всего за четыре года новейшая версия eUFS 3.0 от компании Samsung добилась того, что эта модель соответствует производительности современных сверхтонких ноутбуков.

Samsung eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ объединяет восемь из 512-гигабитного (Gb) V-NAND кристалла пятого поколения компании, и интегрирующий высокопроизводительный контроллер. Новый eUFS со скоростью 2100 мегабайт в секунду (МБ/с) удваивает скорость последовательного чтения самой последней памяти eUFS от Samsung (eUFS 2.1), выпущенной в январе.

Превосходная скорость чтения нового решения в четыре раза выше, чем у твердотельного накопителя SATA (SSD), и в 20 раз быстрее, чем у обычной карты microSD, что позволяет смартфонам премиум-класса передавать фильмы Full HD на ПК примерно за три секунды *. Кроме того, скорость последовательной записи также была улучшена на 50 процентов до 410 МБ/с, что эквивалентно скорости SATA SSD.

Скорость произвольного чтения и записи в новой памяти обеспечивает до 36-процентного увеличения по сравнению с текущей отраслевой спецификацией eUFS 2.1 и составляет 63 000 и 68 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. Благодаря значительному увеличению числа операций случайного чтения и записи, которые более чем в 630 раз быстрее, чем у обычных карт microSD (100 IOPS), можно одновременно запускать несколько сложных приложений, одновременно обеспечивая улучшенную скорость отклика, особенно на мобильных устройствах нового поколения.

После 512 ГБ eUFS 3.0, а также версии на 128 ГБ, которые будут запущены в этом месяце, Samsung планирует выпустить модели объемом 1 ТБ и 256 ГБ во второй половине года, чтобы еще больше помочь мировым производителям устройств в более эффективном использовании будущих мобильных инноваций.

Сравнение производительности внутренней памяти Samsung