MOSFET транзистор в защите от обратного напряжения
MOSFET транзистор для защиты от переполюсовки питания. Когда надо защитить схему от обратного напряжения со стороны входа питания, обычно используется последовательный диод (Рисунок 1а).Однако если входное напряжение низкое — скажем, это две или три батареи АА, — падение 0.5 В на диоде Шоттки может значительно сократить полезное время службы батарей. Функцию диода, но со значительно более низким падением напряжения, может выполнять данный вид транзистора (Рисунок 16).
Использовался сдвоенный р-канальный прибор IRF7342, оба транзистора которого были включены параллельно, и источник питания 3 В. При токе нагрузки 100 мА падение напряжения было равно 100 мВ. При входном напряжении 4.5 В и токе нагрузки 100 мА потери составили всего 50 мВ. Если требуется защита в нижнем плече схемы, можно использовать сдвоенный п-канальный MOSFET IRF7341, также соединив транзисторы параллельно (Рисунок 1в).
При напряжении источника питания 3 В и токе нагрузки 100 мА потери составляют 40 мВ. При входном напряжении 4.5 В и токе нагрузки 100 мА на этой схеме падает всего 25 мВ.
Для того чтобы добавить функцию «плавного включения», потребуется лишь один дополнительный конденсатор и один резистор (Рисунок 1г). Показанные на схеме номиналы компонентов добавляют к задержке включения примерно 100 мс, поскольку переход MOSFET транзистор из выключенного состояния в полностью включенное происходит в линейном режиме.